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GHW-12Z ENI 射频等离子体发生器

  1. 射频发生器功能:能够产生射频信号,用于通信、传感、加热或其他工业应用。

  2. PLC系统功能:集成了可编程逻辑控制器的功能,可以执行控制逻辑、数据处理和通信任务。

  3. 灵活性操作:GHW-12Z 可能具有多种配置选项和参数设置,以适应不同的应用场景。

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详细介绍


产品描述

GHW-12Z ENI射频等离子体发生器产生射频等离子体。

特征:

具有自我寻址、自我定位、自动I/O检测等特点。

GHW-12Z ENI射频等离子体发生器是一种高性能、高可靠性的射频电源,专为产生射频等离子体而设计。

GHW-12Z ENI射频等离子体发生器采用先进的射频技术和控制电路,具有快速响应、高精度、高稳定性等特点。同时,它还具备自我保护和故障诊断功能,确保设备的长期稳定运行。

GHW50 13.56 MHz、5 kW射频等离子体发生器提供经过现场验证的可靠性、卓越的稳定性和无与伦比的可重复性,可实现高正常运行时间和工艺良率。GHW系列射频等离子体发生器可提供208 VAC和400/480 VAC电压。GHW RF等离子体发生器非常适合集成电路、平板显示器和数据存储设备制造过程中的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、高密度等离子体CVD(HDPCVD)、蚀刻和其他薄膜应用。

应用领域

GHW-12Z ENI射频等离子体发生器广泛应用于主要应用于半导体行业、材料科学、生物医学等领域,如等离子体刻蚀、薄膜制备、表面处理等。

GHW-12Z   ENI  射频等离子体发生器
Product description

The GHW-12Z ENI RF plasma generator generates RF plasma.

Features:

It has the characteristics of self-addressing, self-positioning, automatic I/O detection and so on.

The GHW-12Z ENI RF Plasma generator is a high performance, high reliability RF power supply specifically designed for generating RF plasma.

The GHW-12Z ENI RF plasma generator uses advanced RF technology and control circuit, which has the characteristics of fast response, high precision and high stability. At the same time, it also has self-protection and fault diagnosis functions to ensure long-term stable operation of the equipment.

The GHW50 13.56 MHz, 5 kW RF plasma generator provides field-proven reliability, superior stability and unmatched repeatability for high uptime and process yield. The GHW series RF plasma generators are available at 208 VAC and 400/480 VAC voltages. GHW RF plasma generators are ideal for plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), high density Plasma CVD(HDPCVD), etching, and other thin film applications in the manufacturing of integrated circuits, flat panel displays, and data storage devices.

Application field

GHW-12Z ENI RF plasma generators are widely used in the semiconductor industry, materials science, biomedicine and other fields, such as plasma etching, film preparation, surface treatment, etc.
 
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